Číslo produktu výrobce:
STL180N6F7
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STL180N6F7-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 32A/120A PWRFLAT
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 32A (Ta), 120A (Tc) 4.8W (Ta), 166W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Inventář:
12872416
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STL180N6F7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
STripFET™ F7
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
32A (Ta), 120A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2.4mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
79.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4825 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
4.8W (Ta), 166W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerFlat™ (5x6)
Balení / pouzdro
8-PowerVDFN
Základní číslo výrobku
STL180
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
497-19060-1
497-19060-2
497-19060-6
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
TPH2R306NH,L1Q
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2815
DiGi ČÍSLO DÍLU
TPH2R306NH,L1Q-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.66
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
SCT10N120H
SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
STD7N60DM2
MOSFET N-CH 600V 6A DPAK
STD5NM60-1
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
