STL190N4F7AG
Číslo produktu výrobce:

STL190N4F7AG

Product Overview

Výrobce:

STMicroelectronics

Číslo dílu:

STL190N4F7AG-DG

Popis:

MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 127W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerFlat™ (5x6)

Inventář:

854 Ks Nový Originál Skladem
12945896
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

STL190N4F7AG Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
STripFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
40 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
120A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
127W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount, Wettable Flank
Balíček zařízení dodavatele
PowerFlat™ (5x6)
Balení / pouzdro
8-PowerVDFN
Základní číslo výrobku
STL190

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
497-STL190N4F7AGDKR
497-16678-6
497-16678-1-DG
497-STL190N4F7AGCT
497-16678-1
497-16678-2-DG
497-16678-2
497-STL190N4F7AGTR
497-16678-6-DG

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
rohm-semi

R8001CND3FRATL

MOSFET N-CH 800V 1A TO252

rohm-semi

R8007AND3FRATL

MOSFET N-CH 800V 7A TO252

rohm-semi

R8002CND3FRATL

MOSFET N-CH 800V 2A TO252

rohm-semi

RRR030P03HZGTL

MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3