STL24N60DM2
Číslo produktu výrobce:

STL24N60DM2

Product Overview

Výrobce:

STMicroelectronics

Číslo dílu:

STL24N60DM2-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV

Inventář:

2899 Ks Nový Originál Skladem
12874954
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

STL24N60DM2 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
MDmesh™ DM2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
15A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
220mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1055 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
125W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerFlat™ (8x8) HV
Balení / pouzdro
8-PowerVDFN
Základní číslo výrobku
STL24

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
497-16940-1
497-16940-2
497-16940-6

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
stmicroelectronics

STP120N10F4

MOSFET N-CH 100V TO-220

stmicroelectronics

STP30NM60N

MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB

stmicroelectronics

STD3N95K5AG

MOSFET N-CH 950V 2A DPAK

stmicroelectronics

STF19NM50N

MOSFET N-CH 500V 14A TO220FP