STL9P2UH7
Číslo produktu výrobce:

STL9P2UH7

Product Overview

Výrobce:

STMicroelectronics

Číslo dílu:

STL9P2UH7-DG

Popis:

MOSFET P-CH 20V 9A POWERFLAT
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 9A (Tc) 2.9W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)

Inventář:

12878858
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

STL9P2UH7 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Digi-Reel®
Řada
STripFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
22.5mOhm @ 4.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2390 pF @ 16 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.9W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerFlat™ (3.3x3.3)
Balení / pouzdro
8-PowerVDFN
Základní číslo výrobku
STL9

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
-497-15147-1
-497-15147-2
497-15147-6
497-15147-1
497-15147-2
-497-15147-6

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
SI5419DU-T1-GE3
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
13890
DiGi ČÍSLO DÍLU
SI5419DU-T1-GE3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.16
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
stmicroelectronics

STB70NF03LT4

MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK

stmicroelectronics

STH170N8F7-2

MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK-2

stmicroelectronics

STB76NF80

MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK

stmicroelectronics

STP4N90K5

MOSFET N-CH 900V 3A TO220