Číslo produktu výrobce:
STLD200N4F6AG
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STLD200N4F6AG-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) Dual Side
Inventář:
12876368
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STLD200N4F6AG Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
STripFET™ F6
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
40 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
120A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
6.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
172 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10700 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
158W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerFlat™ (5x6) Dual Side
Balení / pouzdro
8-PowerWDFN
Základní číslo výrobku
STLD200
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
497-17148-6
497-17148-1
497-17148-2
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
STW48NM60N
MOSFET N-CH 600V 44A TO247
STP11N65M5
MOSFET N-CH 650V 9A TO220
STW56NM60N
MOSFET N-CH 600V 45A TO247