Číslo produktu výrobce:
STP11N52K3
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STP11N52K3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 525V 10A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 525 V 10A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Inventář:
564 Ks Nový Originál Skladem
12875318
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STP11N52K3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tube
Řada
SuperMESH3™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
525 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
510mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 50µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
125W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
STP11N
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
497-11870-5
-497-11870-5
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXFP12N50P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
300
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFP12N50P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.71
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRFB13N50APBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1693
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFB13N50APBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.46
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRF740PBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1690
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRF740PBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.76
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
STB24N60DM2
MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
STH270N8F7-6
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK
STW150NF55
MOSFET N-CH 55V 120A TO247-3
