STP11NK50Z
Číslo produktu výrobce:

STP11NK50Z

Product Overview

Výrobce:

STMicroelectronics

Číslo dílu:

STP11NK50Z-DG

Popis:

MOSFET N-CH 500V 10A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 10A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220

Inventář:

826 Ks Nový Originál Skladem
12875863
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

STP11NK50Z Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tube
Řada
SuperMESH™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
500 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
520mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 100µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1390 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
125W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
STP11

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
50
Další jména
STP11NK50Z-DG
497-12604-5

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
stmicroelectronics

STQ2N62K3-AP

MOSFET N-CH 620V 2.2A TO92

stmicroelectronics

STB45N65M5

MOSFET N CH 650V 35A D2PAK

stmicroelectronics

STS30N3LLH6

MOSFET N-CH 30V 30A 8SO

stmicroelectronics

STS6NF20V

MOSFET N-CH 20V 6A 8SO