Číslo produktu výrobce:
STP120NH03L
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STP120NH03L-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 60A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Inventář:
12878527
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STP120NH03L Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
-
Řada
STripFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
60A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
5.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
77 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4100 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
110W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
STP120
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
STP120NH03L-DG
497-7501-5
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IPP042N03LGXKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
238
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPP042N03LGXKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.49
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
SCT20N120
SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
STB5NK50ZT4
MOSFET N-CH 500V 4.4A D2PAK
STI17NF25
MOSFET N-CH 250V 17A I2PAK