STP12NK30Z
Číslo produktu výrobce:

STP12NK30Z

Product Overview

Výrobce:

STMicroelectronics

Číslo dílu:

STP12NK30Z-DG

Popis:

MOSFET N-CH 300V 9A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 300 V 9A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220

Inventář:

508 Ks Nový Originál Skladem
12878066
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

STP12NK30Z Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tube
Řada
SuperMESH™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
300 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
400mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 50µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
670 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
90W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
STP12

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
50
Další jména
STP12NK30Z-DG
497-7502-5

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
stmicroelectronics

STFU26N60M2

MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP

stmicroelectronics

STP36NF06

MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB

stmicroelectronics

STD7N52DK3

MOSFET N-CH 525V 6A DPAK

stmicroelectronics

STP11N65M2

MOSFET N-CH 650V 7A TO220