Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
STP180N55F3
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STP180N55F3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 55 V 120A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220
Inventář:
Poptejte online
12874545
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STP180N55F3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
-
Řada
STripFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
55 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
120A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
3.8mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6800 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
330W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
STP180
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
STP180N55F3-DG
497-7512-5
-497-7512-5
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IRF1405ZPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2691
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRF1405ZPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.28
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRF2805PBF
VÝROBCE
International Rectifier
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1042
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRF2805PBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.15
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STP185N55F3
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1985
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP185N55F3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.64
Druh náhrady
Direct
ČÍSLO DÍLU
IPP052N06L3GXKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPP052N06L3GXKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.65
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRFB3207PBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFB3207PBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.23
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
STF16N60M6
MOSFET N-CH 600V TO220-3 FP
STFI9N80K5
MOSFET N-CH 800V 7A I2PAKFP
STB16NM50N
MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
STP100N10F7
MOSFET N CH 100V 80A TO-220