Číslo produktu výrobce:
STP18N60M2
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STP18N60M2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 13A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Inventář:
470 Ks Nový Originál Skladem
12874224
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STP18N60M2 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tube
Řada
MDmesh™ II Plus
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
13A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
280mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
791 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
110W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
STP18
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
5060-STP18N60M2
STP18N60M2-DG
497-13971-5
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
STP18N65M5
MOSFET N-CH 650V 15A TO220
STS6P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
STD70N10F4
MOSFET N-CH 100V 60A DPAK