Číslo produktu výrobce:
STP18N60M6
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STP18N60M6-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 13A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Inventář:
12875916
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STP18N60M6 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tube
Řada
MDmesh™ M6
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
13A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
280mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.75V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
650 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
110W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
STP18
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
1,000
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
FCP220N80
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
180
DiGi ČÍSLO DÍLU
FCP220N80-DG
CENY ZA JEDNOTKU
4.93
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
STI32N65M5
MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
STH52N10LF3-2AG
MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2
STU6N60DM2
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
