STP18N60M6
Číslo produktu výrobce:

STP18N60M6

Product Overview

Výrobce:

STMicroelectronics

Číslo dílu:

STP18N60M6-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 13A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220

Inventář:

12875916
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

STP18N60M6 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tube
Řada
MDmesh™ M6
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
13A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
280mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.75V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
650 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
110W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
STP18

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
1,000

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
FCP220N80
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
180
DiGi ČÍSLO DÍLU
FCP220N80-DG
CENY ZA JEDNOTKU
4.93
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
stmicroelectronics

STI32N65M5

MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK

stmicroelectronics

STH52N10LF3-2AG

MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2

stmicroelectronics

STU6N60DM2

MOSFET N-CH 600V 5A IPAK

stmicroelectronics

STL15N60M2-EP

MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV