Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
STP26NM60ND
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STP26NM60ND-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220
Inventář:
Poptejte online
12945809
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STP26NM60ND Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
-
Řada
FDmesh™ II
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
21A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
175mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
54.6 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1817 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
190W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
STP26N
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
-497-14219-5
497-14219-5
STP26NM60ND-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
AOT25S65L
VÝROBCE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
AOT25S65L-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.99
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IPP60R190C6XKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
4500
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPP60R190C6XKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.40
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
TPH3206PS
VÝROBCE
Transphorm
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
341
DiGi ČÍSLO DÍLU
TPH3206PS-DG
CENY ZA JEDNOTKU
4.91
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXKC20N60C
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXKC20N60C-DG
CENY ZA JEDNOTKU
9.07
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
FCP22N60N
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
157
DiGi ČÍSLO DÍLU
FCP22N60N-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.01
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
TK155A65Z,S4X
MOSFET N-CH 650V 18A TO220SIS
TK110A65Z,S4X
MOSFET N-CH 650V 24A TO220SIS
STN1NF10
MOSFET N-CH 100V 1A SOT-223
IRFR210TRLPBF-BE3
MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK