Číslo produktu výrobce:
STP2NK100Z
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STP2NK100Z-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 1000 V 1.85A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220
Inventář:
738 Ks Nový Originál Skladem
12878831
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STP2NK100Z Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tube
Řada
SuperMESH™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
1000 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1.85A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
8.5Ohm @ 900mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 50µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
499 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
70W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
STP2NK100
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
497-7518-5
STP2NK100Z-DG
497-STP2NK100Z
497-7518-5-DG
-1138-STP2NK100Z
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
STP100N6F7
MOSFET N-CH 60V 100A TO220
STS20N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
STP7N60M2
MOSFET N-CH 600V 5A TO220
