Číslo produktu výrobce:
STP33N60DM2
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STP33N60DM2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 24A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 24A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220
Inventář:
3750 Ks Nový Originál Skladem
12877112
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STP33N60DM2 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tube
Řada
MDmesh™ DM2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
24A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
130mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1870 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
190W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
STP33
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
497-16352-5
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
STL110N10F7
MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
STD5NK50Z-1
MOSFET N-CH 500V 4.4A IPAK
STB60NF10-1
MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
