Číslo produktu výrobce:
STP33N60M6
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STP33N60M6-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220
Inventář:
12875480
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STP33N60M6 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tube
Řada
MDmesh™ M6
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
25A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
125mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.75V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
33.4 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1515 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
190W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
STP33
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
497-18250
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
FCP130N60
VÝROBCE
Fairchild Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
127
DiGi ČÍSLO DÍLU
FCP130N60-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.72
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
R6027YNX3C16
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1000
DiGi ČÍSLO DÍLU
R6027YNX3C16-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.44
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
PHP174NQ04LT,127
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
STD30NF06LAG
MOSFET N-CH 60V 28A DPAK
STP4N150
MOSFET N-CH 1500V 4A TO220AB