Číslo produktu výrobce:
STP35N65DM2
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STP35N65DM2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 32A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 32A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
Inventář:
12876724
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STP35N65DM2 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tube
Řada
MDmesh™ DM2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
32A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
110mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
56.3 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2540 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
250W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
STP35
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
1,000
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STW35N65DM2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
360
DiGi ČÍSLO DÍLU
STW35N65DM2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.01
Druh náhrady
Parametric Equivalent
ČÍSLO DÍLU
FCP130N60
VÝROBCE
Fairchild Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
127
DiGi ČÍSLO DÍLU
FCP130N60-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.72
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
STP80NF06
MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
STF26NM60N-H
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
STW6N95K5
MOSFET N-CH 950V 9A TO247-3
