Číslo produktu výrobce:
STP3N150
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STP3N150-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 1500 V 2.5A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220
Inventář:
12876588
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STP3N150 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tube
Řada
PowerMESH™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
1500 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
9Ohm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
29.3 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
939 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
140W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
STP3N150
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
497-6327-5
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
STW19NM65N
MOSFET N-CH 650V 15.5A TO247-3
STH12N120K5-2
MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
STULED656
MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
