Číslo produktu výrobce:
STP3N80K5
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STP3N80K5-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 2.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220
Inventář:
841 Ks Nový Originál Skladem
12879389
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STP3N80K5 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tube
Řada
SuperMESH5™
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
800 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
3.5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 100µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
130 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
60W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
STP3N80
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
-497-14281-5
STP3N80K5-DG
497-14281-5
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IRFBE30PBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2597
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFBE30PBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.83
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXTP4N80P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTP4N80P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.10
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
STP15N80K5
MOSFET N-CH 800V 14A TO220
STP5NK60ZFP
MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
STF17NF25
MOSFET N-CH 250V 17A TO220FP
