Číslo produktu výrobce:
STP5N52K3
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STP5N52K3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 525V 4.4A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 525 V 4.4A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220
Inventář:
12877425
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STP5N52K3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
-
Řada
SuperMESH3™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
525 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4.4A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.5Ohm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 50µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
450 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
70W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
STP5N
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
497-10652-5
-497-10652-5
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IRF830PBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
9086
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRF830PBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.53
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRF830APBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5605
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRF830APBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.59
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
AOT5N50
VÝROBCE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
588
DiGi ČÍSLO DÍLU
AOT5N50-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.34
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
STW28NM60ND
MOSFET N-CH 600V 23A TO247
STFW24N60M2
MOSFET N-CH 600V 18A TO3PF
STD170N4F7AG
MOSFET N-CHANNEL 40V 80A DPAK
