Číslo produktu výrobce:
STP8NK80Z
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STP8NK80Z-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 6.2A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 6.2A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220
Inventář:
1024 Ks Nový Originál Skladem
12877384
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STP8NK80Z Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tube
Řada
SuperMESH™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
800 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.5Ohm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 100µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1320 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
140W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
STP8NK80
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
497-15685-5
-497-15685-5
STP8NK80Z-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
STL23NM50N
MOSFET N-CH 500V 2.8A PWRFLT 8X8
STP36NF06L
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
STD3NM60N
MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK
