Číslo produktu výrobce:
STQ2LN60K3-AP
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STQ2LN60K3-AP-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 600MA TO92-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 600mA (Tc) 2.5W (Tc) Through Hole TO-92-3
Inventář:
7300 Ks Nový Originál Skladem
12873757
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STQ2LN60K3-AP Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tape & Box (TB)
Řada
SuperMESH3™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
600mA (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
4.5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 50µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
235 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-92-3
Balení / pouzdro
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Základní číslo výrobku
STQ2LN60
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
2,000
Další jména
497-STQ2LN60K3-APTB
497-13391-1-DG
497-STQ2LN60K3-APCT
497-13391-3-DG
497-13391-1
497-13391-3
STQ2LN60K3AP
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
STD3N80K5
MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
STW26NM60ND
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STW24NM60N
MOSFET N-CH 600V 17A TO247
