Číslo produktu výrobce:
STT7P2UH7
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STT7P2UH7-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 7A SOT23-6
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 7A (Tc) 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-6
Inventář:
12880073
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STT7P2UH7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
-
Řada
STripFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
7A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
22.5mOhm @ 3.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2390 pF @ 16 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.6W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-23-6
Balení / pouzdro
SOT-23-6
Základní číslo výrobku
STT7P
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
497-15157-6
497-15157-1
497-15157-2
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
SQ3425EV-T1_GE3
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
SQ3425EV-T1_GE3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.20
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
STP22NM60N
N-channel 600 V, 0.2 Ohm, 16 A
STI21N65M5
MOSFET N-CH 650V 17A I2PAK
STB9NK70ZT4
MOSFET N-CH 700V 7.5A D2PAK
