Číslo produktu výrobce:
STU6N62K3
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STU6N62K3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 620 V 5.5A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventář:
5990 Ks Nový Originál Skladem
12878741
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STU6N62K3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tube
Řada
SuperMESH3™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
620 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.2Ohm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 50µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
875 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
90W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-251 (IPAK)
Balení / pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základní číslo výrobku
STU6N62
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
75
Další jména
-1138-STU6N62K3
497-12699-5
-497-12699-5
STU6N62K3-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
STP95N2LH5
MOSFET N-CH 25V 80A TO220AB
STB13NM60N
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
STB30N80K5
MOSFET N-CHANNEL 800V 24A D2PAK
