Číslo produktu výrobce:
STU9N65M2
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STU9N65M2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventář:
889 Ks Nový Originál Skladem
12875186
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STU9N65M2 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tube
Řada
MDmesh™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
900mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
315 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
60W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-251 (IPAK)
Balení / pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základní číslo výrobku
STU9N
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
75
Další jména
497-15046-5
-497-15046-5
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
STB28N60DM2
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
STD3NM50T4
MOSFET N-CH 550V 3A DPAK
STI24NM60N
MOSFET N CH 600V 17A I2PAK
