Číslo produktu výrobce:
STV200N55F3
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STV200N55F3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 55V 200A 10POWERSO
Podrobný popis:
N-Channel 55 V 200A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount 10-PowerSO
Inventář:
12879648
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STV200N55F3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
-
Řada
STripFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
55 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
200A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6800 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
300W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
10-PowerSO
Balení / pouzdro
PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Základní číslo výrobku
STV200
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
600
Další jména
-497-7028-1
1805-STV200N55F3TR
497-7028-6
-497-7028-2
1805-STV200N55F3CT
497-7028-2
1805-STV200N55F3DKR
497-7028-1
1026-STV200N55F3
-497-7028-6
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXTA200N055T2
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTA200N055T2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.77
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
STDLED656
MOSFET N-CH 650V 6A DPAK
STL18N55M5
MOSFET N-CH 550V 2.4A POWERFLAT
STW60NM50N
MOSFET N-CH 500V 68A TO247