Číslo produktu výrobce:
STW10NK80Z
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STW10NK80Z-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 9A TO247-3
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 9A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventář:
39 Ks Nový Originál Skladem
12872572
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STW10NK80Z Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tube
Řada
SuperMESH™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
800 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
900mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 100µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2180 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
160W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247-3
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
STW10
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
497-3254-5
497-3254-5-NDR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
STP170N8F7
MOSFET N-CH 80V 120A TO220
STFI16N65M2
MOSFET N-CH 650V I2PAK-FP
STL26N65DM2
MOSFET N-CH 650V 20A PWRFLAT HV
