STW11NK90Z
Číslo produktu výrobce:

STW11NK90Z

Product Overview

Výrobce:

STMicroelectronics

Číslo dílu:

STW11NK90Z-DG

Popis:

MOSFET N-CH 900V 9.2A TO247-3
Podrobný popis:
N-Channel 900 V 9.2A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventář:

550 Ks Nový Originál Skladem
12879422
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

STW11NK90Z Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tube
Řada
SuperMESH™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
900 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9.2A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
980mOhm @ 4.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 100µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
115 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
200W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247-3
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
STW11

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
30
Další jména
497-6198-5

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
stmicroelectronics

STE53NC50

MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP

stmicroelectronics

STL28N60DM2

MOSFET N-CH 60V 21A PWRFLAT 8X8

stmicroelectronics

STH210N75F6-2

MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2

stmicroelectronics

STP18NM80

MOSFET N-CH 800V 17A TO220AB