Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
STW35N60DM2
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STW35N60DM2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 28A TO247
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 28A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventář:
27 Ks Nový Originál Skladem
12945503
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STW35N60DM2 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tube
Řada
MDmesh™ DM2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
28A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
110mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2400 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
210W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247-3
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
STW35
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
497-16356-5-DG
-1138-STW35N60DM2
497-16356-5
497-STW35N60DM2
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXFX48N60Q3
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
38
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFX48N60Q3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
17.23
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IPW65R125C7XKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
80
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPW65R125C7XKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.31
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXKH35N60C5
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
117
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXKH35N60C5-DG
CENY ZA JEDNOTKU
6.79
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXFH34N65X2
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
89
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFH34N65X2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
4.08
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXFR64N60Q3
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
30
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFR64N60Q3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
28.02
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
STB18NF30
MOSFET N-CH 330V 18A D2PAK
STFW3N150
N-channel 1500 V, 6 Ohm typ., 2.
STP75NF68
MOSFET N-CH 68V 80A TO220-3
STT5N2VH5
MOSFET N-CH 20V SOT23-6