Číslo produktu výrobce:
STW38NB20
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STW38NB20-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 38A TO247-3
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 38A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventář:
12873967
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STW38NB20 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
-
Řada
PowerMESH™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
38A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
65mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3800 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
180W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247-3
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
STW38N
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
497-2658-5
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IRFP3415PBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
3483
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFP3415PBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.37
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
STY34NB50
MOSFET N-CH 500V 34A MAX247
STD86N3LH5
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
STB3NK60ZT4
MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK
