Číslo produktu výrobce:
STW50NB20
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STW50NB20-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 50A TO247-3
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 50A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventář:
12881967
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STW50NB20 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
-
Řada
PowerMESH™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
50A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
55mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
115 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3400 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
280W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247-3
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
STW50N
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
497-2670-5
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IRFP260PBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
802
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFP260PBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.80
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
IRFL214TR
MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223
IRF740STRRPBF
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
BS870Q-7-F
MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23
