Číslo produktu výrobce:
CSD13302WT
Product Overview
Výrobce:
Texas Instruments
Číslo dílu:
CSD13302WT-DG
Popis:
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Podrobný popis:
N-Channel 12 V 1.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
Inventář:
337 Ks Nový Originál Skladem
12788598
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
CSD13302WT Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Texas Instruments
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
NexFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
12 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
2.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
17.1mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.8 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
862 pF @ 6 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.8W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
4-DSBGA (1x1)
Balení / pouzdro
4-UFBGA, DSBGA
Základní číslo výrobku
CSD13302
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Produktová stránka výrobce
Další informace
Standardní balíček
250
Další jména
TEXTISCSD13302WT
2156-CSD13302WT
296-CSD13302WTCT
CSD13302WT-DG
296-CSD13302WTTR
296-CSD13302WTDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
CSD19506KCS
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
CSD17579Q5A
MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON
CSD19501KCS
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3