Číslo produktu výrobce:
CSD17559Q5T
Product Overview
Výrobce:
Texas Instruments
Číslo dílu:
CSD17559Q5T-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 100A (Ta) 3.2W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
Inventář:
492 Ks Nový Originál Skladem
12789226
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
CSD17559Q5T Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Texas Instruments
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
NexFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
100A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.15mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.7V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9200 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.2W (Ta), 96W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-VSON-CLIP (5x6)
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
CSD17559
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Produktová stránka výrobce
Další informace
Standardní balíček
250
Další jména
CSD17559Q5T-DG
296-CSD17559Q5TCT
296-CSD17559Q5TDKR
296-CSD17559Q5TTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
CSD18532Q5BT
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
CSD19532Q5BT
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
CSD17313Q2T
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
