Číslo produktu výrobce:
CSD18535KTTT
Product Overview
Výrobce:
Texas Instruments
Číslo dílu:
CSD18535KTTT-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 200A/279A DDPAK
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 200A (Ta), 279A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)
Inventář:
1002 Ks Nový Originál Skladem
12795994
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
CSD18535KTTT Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Texas Instruments
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
NexFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
200A (Ta), 279A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6620 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
300W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (DDPAK-3)
Balení / pouzdro
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Základní číslo výrobku
CSD18535
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Produktová stránka výrobce
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
296-44121-2
296-44121-1
296-44121-6
CSD18535KTTT-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
2 (1 Year)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
CSD17484F4T
MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR
DN1509K1-G
MOSFET N-CH 90V 200MA SOT23-5
LND150N8-G
MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
