CSD18542KCS
Číslo produktu výrobce:

CSD18542KCS

Product Overview

Výrobce:

Texas Instruments

Číslo dílu:

CSD18542KCS-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 200A (Ta) 200W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventář:

751 Ks Nový Originál Skladem
12792268
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

CSD18542KCS Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Texas Instruments
Balení
Tube
Řada
NexFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
200A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
44mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5070 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
200W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
CSD18542

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Produktová stránka výrobce

Další informace

Standardní balíček
50
Další jména
296-42271-5
TEXTISCSD18542KCS
296-CSD18542KCS
2156-CSD18542KCS
296-42271-5-DG
CSD18542KCS-DG

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
microchip-technology

MCP87130T-U/LC

MOSFET N-CH 25V 43A 8PDFN

comchip-technology

CMS16P06H8-HF

MOSFET P-CH 60V 5A/16A DFN5X6

central-semiconductor

CTLDM3590 TR

MOSFET N-CH 20V 160MA TLM3D6D8

microchip-technology

LP0701LG-G

MOSFET P-CH 16.5V 700MA 8SOIC