CSD19534Q5AT
Číslo produktu výrobce:

CSD19534Q5AT

Product Overview

Výrobce:

Texas Instruments

Číslo dílu:

CSD19534Q5AT-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 44A (Tc) 3.2W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)

Inventář:

9101 Ks Nový Originál Skladem
12790461
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

CSD19534Q5AT Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Texas Instruments
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
NexFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
44A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
6V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
15.1mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1680 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.2W (Ta), 63W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-VSONP (5x6)
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
CSD19534

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Produktová stránka výrobce

Další informace

Standardní balíček
250
Další jména
296-37838-1
296-37838-6
296-37838-2

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
microchip-technology

DN3135K1-G

MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3

central-semiconductor

CP398X-CTLDM303N-WN

MOSFET N-CH 30V 3.6A DIE

central-semiconductor

CDM22012-800LRFP SL

MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP

central-semiconductor

CMPDM303NH BK

MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23F