Číslo produktu výrobce:
CSD75301W1015
Product Overview
Výrobce:
Texas Instruments
Číslo dílu:
CSD75301W1015-DG
Popis:
MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 1.2A 800mW Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
Inventář:
12802479
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
CSD75301W1015 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Texas Instruments
Balení
-
Řada
NexFET™
Stav produktu
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 P-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1.2A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
100mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
2.1nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
195pF @ 10V
Výkon - Max
800mW
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
6-UFBGA, DSBGA
Balíček zařízení dodavatele
6-DSBGA (1x1.5)
Základní číslo výrobku
CSD75301
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
296-24261-1-NDR
296-24261-6
296-24261-6-NDR
296-24261-2
-CSD75301W1015-NDR
296-24261-1
-296-24261-1-NDR
-296-24261-1-DG
TEXTISCSD75301W1015
2156-CSD75301W1015
296-24261-2-NDR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
BSD340NH6327XTSA1
MOSFET P-CH SOT363-6
IPG20N06S3L-35
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
IRF7331TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SO