Číslo produktu výrobce:
CSD86330Q3D
Product Overview
Výrobce:
Texas Instruments
Číslo dílu:
CSD86330Q3D-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
Podrobný popis:
Mosfet Array 25V 20A 6W Surface Mount 8-LSON (3.3x3.3)
Inventář:
23708 Ks Nový Originál Skladem
12791527
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
CSD86330Q3D Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Texas Instruments
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
NexFET™
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Half Bridge)
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
25V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
20A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
9.6mOhm @ 14A, 8V
vgs(th) (max.) @ id
2.1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.2nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
920pF @ 12.5V
Výkon - Max
6W
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
8-PowerLDFN
Balíček zařízení dodavatele
8-LSON (3.3x3.3)
Základní číslo výrobku
CSD86330Q3
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Produktová stránka výrobce
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
296-28216-2
TEXTISCSD86330Q3D
296-28216-6
-296-28216-1-DG
-CSD86330Q3D-NDR
2156-CSD86330Q3D
296-28216-1
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
CJ3139KDW-G
MOSFET 2P-CH 20V 0.66A SOT363
CMLDM7002AG TR PBFREE
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
CMLDM8002AG TR PBFREE
MOSFET 2P-CH 50V 0.28A SOT563