HN1B04FU-GR,LXHF
Číslo produktu výrobce:

HN1B04FU-GR,LXHF

Product Overview

Výrobce:

Toshiba Semiconductor and Storage

Číslo dílu:

HN1B04FU-GR,LXHF-DG

Popis:

AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor Array 50V 150mA 150MHz, 120MHz 200mW Surface Mount US6

Inventář:

5998 Ks Nový Originál Skladem
12995794
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
z7Nx
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

HN1B04FU-GR,LXHF Technické specifikace

Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové matice
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
-
Proud - sběrač (Ic) (Max)
150mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
100nA (ICBO)
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Výkon - Max
200mW
Frekvence - přechod
150MHz, 120MHz
Provozní teplota
-
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balíček zařízení dodavatele
US6
Základní číslo výrobku
HN1B04

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
264-HN1B04FU-GRLXHFDKR
264-HN1B04FU-GR,LXHFTR
264-HN1B04FU-GR,LXHFDKR
264-HN1B04FU-GR,LXHFTR-DG
264-HN1B04FU-GRLXHFCT
264-HN1B04FU-GR,LXHFDKR-DG
264-HN1B04FU-GRLXHFTR
264-HN1B04FU-GR,LXHFCT
264-HN1B04FU-GR,LXHFCT-DG

Klasifikace životního prostředí a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikace
Související produkty
toshiba-semiconductor-and-storage

HN1C01FU-Y,LXHF

AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V

toshiba-semiconductor-and-storage

HN1A01FU-Y,LXHF

AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50

texas-instruments

SN75468N-A

PROTOTYPE

texas-instruments

SN75468NS

PROTOTYPE