HN1C03FU-A(TE85L,F
Číslo produktu výrobce:

HN1C03FU-A(TE85L,F

Product Overview

Výrobce:

Toshiba Semiconductor and Storage

Číslo dílu:

HN1C03FU-A(TE85L,F-DG

Popis:

TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 20V 300mA 30MHz 200mW Surface Mount US6

Inventář:

12889810
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

HN1C03FU-A(TE85L,F Technické specifikace

Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové matice
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
2 NPN (Dual)
Proud - sběrač (Ic) (Max)
300mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
20V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
100mV @ 3mA, 30mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
100nA (ICBO)
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 4mA, 2V
Výkon - Max
200mW
Frekvence - přechod
30MHz
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balíček zařízení dodavatele
US6
Základní číslo výrobku
HN1C03

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
HN1C03FU-A(TE85LFDKR
HN1C03FU-A(TE85LFCT
HN1C03FU-A(TE85LFTR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
QSX8TR
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
300
DiGi ČÍSLO DÍLU
QSX8TR-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.17
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
diodes

BC846ASQ-7-F

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT36

toshiba-semiconductor-and-storage

2SA1618-Y(TE85L,F)

TRANS 2PNP 50V 0.15A SMV

texas-instruments

ULN2803ANG4

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

texas-instruments

ULN2803AN

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP