Číslo produktu výrobce:
HN4A51JTE85LF
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
HN4A51JTE85LF-DG
Popis:
TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV
Inventář:
6119 Ks Nový Originál Skladem
12889130
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
HN4A51JTE85LF Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové matice
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
2 PNP (Dual)
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
120V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
100nA (ICBO)
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Výkon - Max
300mW
Frekvence - přechod
100MHz
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SC-74A, SOT-753
Balíček zařízení dodavatele
SMV
Základní číslo výrobku
HN4A51
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
HN4A51J (TE85L,F)
HN4A51J(TE85L,F)
HN4A51JTE85LFDKR
HN4A51JTE85LFCT
HN4A51JTE85LFTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikace
Související produkty
HN1C01FU-Y,LF
NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO50
HN3C51F-GR(TE85L,F
TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
HN1C01FU-GR,LF
TRANS 2NPN 50V 0.15A US6