Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
DR Kongo
Argentina
Turecko
Rumunsko
Litva
Norsko
Rakousko
Angola
Slovensko
LTALY
Finsko
Bělorusko
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Černá Hora
Ruština
Belgie
Švédsko
Srbsko
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Moldavsko
Německo
Nizozemsko
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
Francie
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Portugalsko
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Španělsko
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
HN4B01JE(TE85L,F)
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
HN4B01JE(TE85L,F)-DG
Popis:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP (Emitter Coupled) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ESV
Inventář:
3440 Ks Nový Originál Skladem
12891278
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
e
Q
s
U
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
HN4B01JE(TE85L,F) Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové matice
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
NPN, PNP (Emitter Coupled)
Proud - sběrač (Ic) (Max)
150mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
100nA (ICBO)
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
Výkon - Max
100mW
Frekvence - přechod
80MHz
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-553
Balíček zařízení dodavatele
ESV
Základní číslo výrobku
HN4B01
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
HN4B01JE
Další informace
Standardní balíček
4,000
Další jména
HN4B01JETE85LF
HN4B01JE(TE85LF)TR
HN4B01JE(TE85LF)DKR
HN4B01JE (TE85L,F)
HN4B01JE(TE85LF)CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
FMY1AT148
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
175
DiGi ČÍSLO DÍLU
FMY1AT148-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.10
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
2SC4207-GR(TE85L,F
TRANS 2NPN 50V 0.15A SMV
HN4B04J(TE85L,F)
TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SMV
DMMT3904W-7
TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363
HN1A01F-Y(TE85L,F)
TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6