Číslo produktu výrobce:
HN4B102J(TE85L,F)
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
HN4B102J(TE85L,F)-DG
Popis:
PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 1.8A, 2A 750mW Surface Mount SMV
Inventář:
2900 Ks Nový Originál Skladem
12988801
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
HN4B102J(TE85L,F) Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové matice
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
NPN, PNP
Proud - sběrač (Ic) (Max)
1.8A, 2A
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
30V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
100nA (ICBO)
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 200mA, 2V
Výkon - Max
750mW
Frekvence - přechod
-
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SC-74A, SOT-753
Balíček zařízení dodavatele
SMV
Základní číslo výrobku
HN4B102
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
264-HN4B102J(TE85LF)TR
264-HN4B102J(TE85LF)TR-DG
264-HN4B102J(TE85L,F)DKR
264-HN4B102J(TE85L,F)TR-DG
264-HN4B102J(TE85L,F)TR
264-HN4B102J(TE85L,F)CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
ULN2803CDWR
50-V, EIGHT-CHANNEL DARLINGTON A
SBC846BDW1T1G-M01
SBC846BDW1T1G-M01
CMLT3474 TR
TRANS NPN/PNP 25V 1A SOT563
