HN4B102J(TE85L,F)
Číslo produktu výrobce:

HN4B102J(TE85L,F)

Product Overview

Výrobce:

Toshiba Semiconductor and Storage

Číslo dílu:

HN4B102J(TE85L,F)-DG

Popis:

PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 1.8A, 2A 750mW Surface Mount SMV

Inventář:

2900 Ks Nový Originál Skladem
12988801
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

HN4B102J(TE85L,F) Technické specifikace

Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové matice
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
NPN, PNP
Proud - sběrač (Ic) (Max)
1.8A, 2A
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
30V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
100nA (ICBO)
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 200mA, 2V
Výkon - Max
750mW
Frekvence - přechod
-
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SC-74A, SOT-753
Balíček zařízení dodavatele
SMV
Základní číslo výrobku
HN4B102

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
264-HN4B102J(TE85LF)TR
264-HN4B102J(TE85LF)TR-DG
264-HN4B102J(TE85L,F)DKR
264-HN4B102J(TE85L,F)TR-DG
264-HN4B102J(TE85L,F)TR
264-HN4B102J(TE85L,F)CT

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
texas-instruments

ULN2803CDWR

50-V, EIGHT-CHANNEL DARLINGTON A

onsemi

SBC846BDW1T1G-M01

SBC846BDW1T1G-M01

central-semiconductor

CMLT3474 TR

TRANS NPN/PNP 25V 1A SOT563

micro-commercial-components

MMDT3906HE3-TP

DUAL PNP TRANSISTORS, SOT-363