Číslo produktu výrobce:
RN1102,LF(CT
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
RN1102,LF(CT-DG
Popis:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Inventář:
12891646
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
RN1102,LF(CT Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Jednotlivé, předpřetížené bipolární tranzistory
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
NPN - Pre-Biased
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100 mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50 V
Rezistor - Báze (R1)
10 kOhms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
10 kOhms
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
500nA
Frekvence - přechod
250 MHz
Výkon - Max
100 mW
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SC-75, SOT-416
Balíček zařízení dodavatele
SSM
Základní číslo výrobku
RN1102
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
RN1102LF(CT
RN1102LF(CTTR
RN1102LF(CT-DG
RN1102LF(CTDKR
RN1102,LF(CB
RN1102LF(CTCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
SDTC114EET1G
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
7017
DiGi ČÍSLO DÍLU
SDTC114EET1G-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.04
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
DDTC113TKA-7-F
TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3
DDTA123TUA-7
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
RN2103MFV,L3F
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM