Číslo produktu výrobce:
RN1103MFV,L3F
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
RN1103MFV,L3F-DG
Popis:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Inventář:
254 Ks Nový Originál Skladem
12889861
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
Nb27
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
RN1103MFV,L3F Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Jednotlivé, předpřetížené bipolární tranzistory
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Cut Tape (CT)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
NPN - Pre-Biased
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100 mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50 V
Rezistor - Báze (R1)
22 kOhms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
22 kOhms
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
500nA
Výkon - Max
150 mW
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-723
Balíček zařízení dodavatele
VESM
Základní číslo výrobku
RN1103
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
8,000
Další jména
RN1103MFV,L3F(T
RN1103MFV,L3F(B
RN1103MFVL3FTR
RN1103MFVL3FDKR
RN1103MFVL3FCT
RN1103MFVL3F
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
NSBC124EF3T5G
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
4316
DiGi ČÍSLO DÍLU
NSBC124EF3T5G-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.07
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
DTC124EM3T5G
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
7315
DiGi ČÍSLO DÍLU
DTC124EM3T5G-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.03
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
RN2305(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
RN1103MFV(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN2114(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
