Číslo produktu výrobce:
RN1105MFV,L3F(CT
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
RN1105MFV,L3F(CT-DG
Popis:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Inventář:
18414 Ks Nový Originál Skladem
13275909
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
H4IY
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
RN1105MFV,L3F(CT Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Jednotlivé, předpřetížené bipolární tranzistory
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
NPN - Pre-Biased
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100 mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50 V
Rezistor - Báze (R1)
2.2 kOhms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
47 kOhms
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
500nA
Výkon - Max
150 mW
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-723
Balíček zařízení dodavatele
VESM
Základní číslo výrobku
RN1105
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
8,000
Další jména
264-RN1105MFVL3F(TR
264-RN1105MFVL3F(DKR
264-RN1105MFVL3F(CT
RN1105MFV,L3F(CB
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
ADTC144VCAQ-13
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
DTC143ZUA-TP
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
DTC143TCA-TP
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23