Číslo produktu výrobce:
RN1107,LF(CT
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
RN1107,LF(CT-DG
Popis:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Inventář:
20341 Ks Nový Originál Skladem
12889171
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
RN1107,LF(CT Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Jednotlivé, předpřetížené bipolární tranzistory
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
NPN - Pre-Biased
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100 mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50 V
Rezistor - Báze (R1)
10 kOhms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
47 kOhms
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
500nA
Frekvence - přechod
250 MHz
Výkon - Max
100 mW
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SC-75, SOT-416
Balíček zařízení dodavatele
SSM
Základní číslo výrobku
RN1107
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
RN1107T5LFT
RN1107LF(CTCTINACTIVE
RN1107LF(CBTR
RN1107LF(CBDKR-DG
RN1107LF(CTDKRINACTIVE
RN1107LF(CTCT
RN1107(T5LFT)DKR
RN1107(T5LFT)CT
RN1107LF(CBCT-DG
RN1107LF(CTTRINACTIVE
RN1107LF(CTDKR
RN1107LF(CBDKR
RN1107(T5L,F,T)
RN1107,LF(CB
RN1107LF(CTTR
RN1107LF(CBCT
RN1107(T5LFT)TR
RN1107LF(CBTR-DG
RN1107(T5LFT)CT-DG
RN1107(T5LFT)TR-DG
RN1107(T5LFT)DKR-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikace
Související produkty
RN1104MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN1114(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RN1416,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI