Číslo produktu výrobce:
RN2106,LF(CT
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
RN2106,LF(CT-DG
Popis:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Inventář:
3000 Ks Nový Originál Skladem
12891000
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
RN2106,LF(CT Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Jednotlivé, předpřetížené bipolární tranzistory
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
PNP - Pre-Biased
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100 mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50 V
Rezistor - Báze (R1)
4.7 kOhms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
47 kOhms
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
500nA
Frekvence - přechod
200 MHz
Výkon - Max
100 mW
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SC-75, SOT-416
Balíček zařízení dodavatele
SSM
Základní číslo výrobku
RN2106
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
RN2106,LF(CB
RN2106LF(CTDKR
RN2106LF(CTCT
RN2106LF(CTTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikace
Související produkty
RN2310,LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
RN1403,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
RN1101MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM