Číslo produktu výrobce:
RN2905FE,LF(CT
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
RN2905FE,LF(CT-DG
Popis:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventář:
12891798
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
RN2905FE,LF(CT Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové pole, předbiasované
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50V
Rezistor - Báze (R1)
2.2kOhms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
47kOhms
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
100nA (ICBO)
Frekvence - přechod
200MHz
Výkon - Max
100mW
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-563, SOT-666
Balíček zařízení dodavatele
ES6
Základní číslo výrobku
RN2905
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
4,000
Další jména
RN2905FE(TE85LF)TR
RN2905FELF(CBCT-DG
RN2905FE,LF(CB
RN2905FELF(CBTR-DG
RN2905FE(TE85LF)DKR-DG
RN2905FELF(CTTR
RN2905FE(TE85LF)DKR
RN2905FELF(CBDKR-DG
RN2905FELF(CBCT
RN2905FE(TE85LF)CT
RN2905FE(TE85L,F)
RN2905FE(TE85LF)CT-DG
RN2905FE(TE85LF)TR-DG
RN2905FELF(CTDKR
RN2905FELF(CTCT
RN2905FELF(CBTR
RN2905FELF(CBDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
PEMB10,115
VÝROBCE
Nexperia USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
4000
DiGi ČÍSLO DÍLU
PEMB10,115-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.07
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
RN2710JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN1906(T5L,F,T)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN4905FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
