Číslo produktu výrobce:
RN2906(T5L,F,T)
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
RN2906(T5L,F,T)-DG
Popis:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
Inventář:
12891021
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
HVnq
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
RN2906(T5L,F,T) Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové pole, předbiasované
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ tranzistoru
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50V
Rezistor - Báze (R1)
4.7kOhms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
47kOhms
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
100nA (ICBO)
Frekvence - přechod
200MHz
Výkon - Max
200mW
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balíček zařízení dodavatele
US6
Základní číslo výrobku
RN2906
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
RN2906(T5LFT)TR
RN2906(T5LFT)DKR
RN2906(T5LFT)CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
PUMB13,115
VÝROBCE
Nexperia USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
3002
DiGi ČÍSLO DÍLU
PUMB13,115-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.02
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
MUN5133DW1T1G
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
12317
DiGi ČÍSLO DÍLU
MUN5133DW1T1G-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.03
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
RN2910(T5L,F,T)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4987,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4602TE85LF
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6